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SI2302CDS-T1-GE3  与  BSS806NE H6327  区别

型号 SI2302CDS-T1-GE3 BSS806NE H6327
唯样编号 A3-SI2302CDS-T1-GE3 A-BSS806NE H6327
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 1.60mm 1.3mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 57mΩ 41mΩ
上升时间 7ns 9.9ns
产品特性 - 车规
Qg-栅极电荷 5.5nC 1.7nC
栅极电压Vgs 400mV 8V
正向跨导 - 最小值 13S 9S
封装/外壳 SOT-23-3 -
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 2.9A 2.3A
配置 Single Single
长度 2.9mm 2.9mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,4.5V -
下降时间 7ns 3.7ns
高度 1.45mm 1.10mm
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 860mW 500mW(1/2W)
典型关闭延迟时间 30ns 12ns
FET类型 - N-Channel
系列 SI2 BSS806
通道数量 1Channel 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 850mV @ 250µA -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 5.5nC @ 4.5V -
典型接通延迟时间 8ns 7.5ns
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI2302CDS-T1-GE3 Vishay  数据手册 小信号MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 2.9A 860mW 57mΩ 20V 400mV

暂无价格 0 当前型号
DMG2302U-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

±8V 800mW(Ta) 90mΩ@3.6A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 20V 4.2A

¥0.4056 

阶梯数 价格
130: ¥0.4056
200: ¥0.2613
3,000: ¥0.2325
88,497 对比
ZXMN2A14FTA Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±12V 1W(Ta) 60mΩ@3.4A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 20V 4.1A

¥1.584 

阶梯数 价格
40: ¥1.584
100: ¥1.265
750: ¥1.133
1,500: ¥1.067
2,764 对比
DMG2302U-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

±8V 800mW(Ta) 90mΩ@3.6A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 20V 4.2A

暂无价格 0 对比
DMG2302U-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

±8V 800mW(Ta) 90mΩ@3.6A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 20V 4.2A

暂无价格 0 对比
BSS806NE H6327 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSS806NEH6327XTSA1_20V 2.3A 41mΩ 8V 500mW(1/2W) N-Channel -55°C~150°C 车规

暂无价格 0 对比

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